TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TW070J120B,S1Q
DigiKeys produktnummer	264-TW070J120BS1Q-ND
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TW070J120B,S1Q
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 36 A (Tc) 272W (Tc) Genomgående hål TO-3P(N)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TW070J120B,S1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 5,8V vid 20mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 20 V
Förpackning Rör	Vgs (Max) ±25V, -10V
Artikelstatus Föråldrad	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 800 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 272W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C
Drain till source-spänning (Vdss) 1200 V	Monteringstyp Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 36 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-3P(N)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 20V	Inkapsling/låda TO-3P-3, SC-65-3
Rds On (max) @ Id, Vgs 90mOhm vid 18A, 20V	Basproduktens nummer TW070J120

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

Föråldrad

Denna produkt tillverkas inte längre.

TW070J120B,S1Q