N-kanal 650 V 100 A (Tc) 342W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 100 A (Tc) 342W (Tc) Genomgående hål TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N65C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW015N65CS1F-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
TW015N65C,S1F
Beskrivning
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Tillverkarens standardleveranstid
24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 100 A (Tc) 342W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 11,7mA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 18 V
Förpackning
Rör
Vgs (Max)
+25V, -10V
Artikelstatus
Aktiv
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4850 pF @ 400 V
FET-typ
Effektförlust (max)
342W (Tc)
Teknologi
Arbetstemperatur
175°C
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Monteringstyp
Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Inkapsling/låda
Rds On (max) @ Id, Vgs
21mOhm vid 50A, 18V
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 24
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 599,75000kr 599,75
30kr 418,73800kr 12 562,14
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 599,75000
Enhetspris inkl. moms:kr 749,68750