Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 44.7 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPW5200FNH,L1Q
DigiKeys produktnummer	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Remsbit (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPW5200FNH,L1Q
Beskrivning	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Ytmontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 52mOhm vid 13A, 10V
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 100 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur 150°C
Drain till source-spänning (Vdss) 250 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning 8-DSOP Advance
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN