Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 4.5875 USD
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPW5200FNH,L1Q
DigiKeys produktnummer	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Remsbit (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPW5200FNH,L1Q
Beskrivning	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Ytmontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	250 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	52mOhm vid 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-DSOP Advance
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN