Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 43.2375 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TPW1R306PL,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPW1R306PLL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPW1R306PL,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Ytmontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPW1R306PL,L1Q Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	260 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,29mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	8100 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-DSOP Advance
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPW1R306

Enhetspris exkl. moms:	kr 34,59000
Enhetspris inkl. moms:	kr 43,23750

TPW1R306PL,L1Q