Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 44.5875 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPW1R306PL,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPW1R306PLL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPW1R306PL,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Ytmontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPW1R306PL,L1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 1mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 8100 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 175°C
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-DSOP Advance
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 260 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer TPW1R306
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,29mOhm vid 50A, 10V