Name: TPN7R506NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN7R506NHL1QTR-ND
Price: 18.925 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPN7R506NH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN7R506NHL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPN7R506NHL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPN7R506NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPN7R506NH,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN7R506NH,L1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 200µA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6,5V, 10V	Basproduktens nummer TPN7R506
Rds On (max) @ Id, Vgs 7,5mOhm vid 13A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 8 108

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)

Tillverkarens standardförpackning

Enhetspris exkl. moms:	kr 15,14000
Enhetspris inkl. moms:	kr 18,92500

TPN7R506NH,L1Q