Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN2R805PL,L1QTR-ND
Price: 16.65 SEK
Availability: OutOfStock

TPN2R805PL,L1Q är slut i lager och kan restnoteras.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

I lager: 0

Enhetspris : kr 31,57000

Datablad

Visa och jämför alla ersättningsprodukter

N-kanal 45 V 80 A (Tc) 2,67W (Ta), 104W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPN2R805PL,L1Q
DigiKeys produktnummer	264-TPN2R805PL,L1QTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TPN2R805PL,L1QCT-ND - Remsbit (CT) 264-TPN2R805PL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPN2R805PL,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 45 V 80 A (Tc) 2,67W (Ta), 104W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN2R805PL,L1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,4V vid 300µA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 22.5 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2,67W (Ta), 104W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 175°C
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 45 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 80 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer TPN2R805
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,8mOhm vid 40A, 10V