Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 16.425 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPN1600ANH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN1600ANHL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPN1600ANH,L1Q
Beskrivning	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN1600ANH,L1Q Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	17 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	16mOhm vid 8,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 200µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPN1600