Name: TPH8R80ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R80ANHL1QTR-ND
Price: 29.5375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPH8R80ANH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPH8R80ANHL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPH8R80ANHL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPH8R80ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPH8R80ANH,L1Q
Beskrivning	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 32 A (Tc) 1,6W (Ta), 61W (Tc) Ytmontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPH8R80ANH,L1Q Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	32 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	8,8mOhm vid 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,6W (Ta), 61W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOP Advance (5x5)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPH8R80