Name: TPH2R408QM,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R408QML1QTR-ND
Price: 29.5375 SEK
Availability: InStock

N-kanal 80 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Ytmontering 8-SOP Advance (5x5)

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPH2R408QM,L1Q
DigiKeys produktnummer	264-TPH2R408QML1QTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TPH2R408QML1QCT-ND - Remsbit (CT) 264-TPH2R408QML1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPH2R408QM,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Ytmontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPH2R408QM,L1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 1mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 40 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3W (Ta), 210W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 175°C
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-SOP Advance (5x5)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 120 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Basproduktens nummer TPH2R408
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,43mOhm vid 50A, 10V