Name: TPH2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2900ENHL1QTR-ND
Price: 38.9875 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TPH2900ENH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPH2900ENHL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPH2900ENHL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPH2900ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPH2900ENH,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 33 A (Ta) 78W (Tc) Ytmontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPH2900ENH,L1Q Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	33 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	29mOhm vid 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	78W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOP Advance (5x5)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPH2900

Enhetspris exkl. moms:	kr 31,19000
Enhetspris inkl. moms:	kr 38,98750

TPH2900ENH,L1Q