Name: TK2R9E10PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Price: 48.3125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TK2R9E10PL,S1X
DigiKeys produktnummer	264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TK2R9E10PL,S1X
Beskrivning	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 100 A (Ta) 306W (Tc) Genomgående hål TO-220
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	100 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,9mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9500 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	306W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-220
Inkapsling/låda	TO-220-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 50

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 38,65000	kr 38,65
50	kr 19,76180	kr 988,09
100	kr 17,93520	kr 1 793,52
500	kr 14,73368	kr 7 366,84
1 000	kr 13,73794	kr 13 737,94

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.