N-kanal 600 V 9,7 A (Ta) 100W (Tc) Genomgående hål TO-220
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TK10E60W,S1VX

DigiKeys produktnummer
TK10E60WS1VX-ND
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer
TK10E60W,S1VX
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Tillverkarens standardleveranstid
16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 9,7 A (Ta) 100W (Tc) Genomgående hål TO-220
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
TK10E60W,S1VX Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
9,7 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
380mOhm vid 4,9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,7V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Arbetstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
TK10E60
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 70
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 43,56000kr 43,56
50kr 22,54020kr 1 127,01
100kr 20,50460kr 2 050,46
500kr 16,93742kr 8 468,71
1 000kr 16,17131kr 16 171,31
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 43,56000
Enhetspris inkl. moms:kr 54,45000