Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 35.8125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TJ90S04M3L,LQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ90S04M3L,LQ
Beskrivning	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2V vid 1mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 172 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max) +10V, -20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 7700 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 180W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur 175°C
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 90 A (Ta)	Monteringstyp Ytmontering
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Leverantörens enhetsförpackning DPAK+
Rds On (max) @ Id, Vgs 4,3mOhm vid 45A, 10V	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63