Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 21.2625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
DigiKeys produktnummer	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 8 A (Ta) 27W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	104mOhm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	890 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	27W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	DPAK+
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	TJ8S06