Name: TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 23.725 SEK
Availability: InStock

P-kanal 40 V 60 A (Ta) 90W (Tc) Ytmontering DPAK+

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Beskrivning	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 60 A (Ta) 90W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TJ60S04M3L(T6L1,NQ Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 1mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max) +10V, -20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 6510 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 90W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Leverantörens enhetsförpackning DPAK+
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 60 A (Ta)	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Basproduktens nummer TJ60S04
Rds On (max) @ Id, Vgs 6,3mOhm vid 30A, 10V