Name: TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 23.0375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Beskrivning	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 60 A (Ta) 90W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TJ60S04M3L(T6L1,NQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,3mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6510 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	90W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	DPAK+
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	TJ60S04