Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 8.625 SEK
Availability: OutOfStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SSM6K514NU,LF
DigiKeys produktnummer	SSM6K514NULFTR-ND - Remsa och spole (TR) SSM6K514NULFCT-ND - Remsbit (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	SSM6K514NU,LF
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 12 A (Ta) 2,5W (Ta) Ytmontering 6-UDFNB (2x2)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SSM6K514NU,LF Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	12 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	11,6mOhm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 100µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta)
Arbetstemperatur	150°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	6-UDFNB (2x2)
Inkapsling/låda	6-WDFN exponerad kontaktyta
Basproduktens nummer	SSM6K514

Enhetspris exkl. moms:	kr 6,90000
Enhetspris inkl. moms:	kr 8,62500

SSM6K514NU,LF