SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

SSM6K211FE,LF har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

I lager: 3 000

Enhetspris : kr 1,23934

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SSM6K211FE,LF
DigiKeys produktnummer	SSM6K211FELFTR-ND - Remsa och spole (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Remsbit (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	SSM6K211FE,LF
Beskrivning	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) Ytmontering ES6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SSM6K211FE,LF Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1V vid 1mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSIII	Vgs (Max) ±10V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 10 V
Artikelstatus Föråldrad	Effektförlust (max) 500mW (Ta)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning ES6
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 3,2 A (Ta)	Inkapsling/låda SOT-563, SOT-666
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 1,5V, 4,5V	Basproduktens nummer SSM6K211
Rds On (max) @ Id, Vgs 47mOhm vid 2A, 4,5V