Name: SSM3K318R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318RLFTR-ND
Price: 6.5 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SSM3K318R,LF
DigiKeys produktnummer	SSM3K318RLFTR-ND - Remsa och spole (TR) SSM3K318RLFCT-ND - Remsbit (CT) SSM3K318RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	SSM3K318R,LF
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1W (Ta) Ytmontering SOT-23F
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SSM3K318R,LF Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	2,5 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	107mOhm vid 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,8V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	235 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1W (Ta)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23F
Inkapsling/låda	SOT-23-3 flata ledningar
Basproduktens nummer	SSM3K318

Enhetspris exkl. moms:	kr 5,20000
Enhetspris inkl. moms:	kr 6,50000

SSM3K318R,LF