N-kanal 600 V 3,7 A (Tc) 45W (Tc) Genomgående hål IPAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

STU5N60M2

DigiKeys produktnummer
497-14224-5-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
STU5N60M2
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 3,7 A (Tc) 45W (Tc) Genomgående hål IPAK
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
STU5N60M2 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ II Plus
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
3,7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,4Ohm vid 1,85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
165 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Arbetstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
IPAK
Inkapsling/låda
TO-251-3 korta stift, IPAK, TO-251AA
Basproduktens nummer
STU5N60
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 831
Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut. Visa Ersättningsartiklar.