N-kanal 620 V 5,5 A (Tc) 90W (Tc) Genomgående hål I2PAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

STI6N62K3

DigiKeys produktnummer
497-12265-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
STI6N62K3
Beskrivning
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 620 V 5,5 A (Tc) 90W (Tc) Genomgående hål I2PAK
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
STI6N62K3 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH3™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
620 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
5,5 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,2Ohm vid 2,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 50µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
I2PAK
Inkapsling/låda
TO-262-3 långa stift, I2PAK, TO-262AA
Basproduktens nummer
STI6N
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.