N-kanal 40 V 120 A (Tc) 310W (Tc) Genomgående hål I2PAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

STB200NF04-1

DigiKeys produktnummer
497-3512-5-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
STB200NF04-1
Beskrivning
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 40 V 120 A (Tc) 310W (Tc) Genomgående hål I2PAK
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
STripFET™ II
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3,7mOhm vid 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
310W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
I2PAK
Inkapsling/låda
TO-262-3 långa stift, I2PAK, TO-262AA
Basproduktens nummer
STB200N
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.