N-kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCTWA60N120G2-4

DigiKeys produktnummer
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
SCTWA60N120G2-4
Beskrivning
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCTWA60N120G2-4 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
52mOhm vid 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1969 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
388W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 221
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut.
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 163,04000kr 163,04
10kr 129,61900kr 1 296,19
30kr 119,84833kr 3 595,45
120kr 111,12267kr 13 334,72
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 163,04000
Enhetspris inkl. moms:kr 203,80000