Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 208.725 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCTWA60N120G2-4
DigiKeys produktnummer	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Tillverkare	STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer	SCTWA60N120G2-4
Beskrivning	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SCTWA60N120G2-4 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	STMicroelectronics
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	52mOhm vid 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1969 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	388W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-200°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-4
Inkapsling/låda	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

I lager: 229

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Sista datum för köp: 15.02.2026

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 166,98000	kr 166,98
10	kr 132,75400	kr 1 327,54
30	kr 122,74600	kr 3 682,38
120	kr 113,80950	kr 13 657,14
270	kr 109,98611	kr 29 696,25
510	kr 107,54100	kr 54 845,91

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.