
SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | SCTW100N65G2AG |
Beskrivning | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Genomgående hål HiP247™ |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | SCTW100N65G2AG Modeller |
Typ | Beskrivning | Välj alla |
|---|---|---|
Kategori | ||
Tillv. | ||
Serie | - | |
Förpackning | Rör | |
Artikelstatus | Aktiv | |
FET-typ | ||
Teknologi | ||
Drain till source-spänning (Vdss) | 650 V | |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | ||
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds On (max) @ Id, Vgs | 26mOhm vid 50A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V vid 5mA | |
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
Vgs (Max) | +22V, -10V | |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 3315 pF @ 520 V | |
FET-funktion | - | |
Effektförlust (max) | 420W (Tc) | |
Arbetstemperatur | -55°C-200°C (TJ) | |
Grad | Automotive | |
Godkännande | AEC-Q101 | |
Monteringstyp | Genomgående hål | |
Leverantörens enhetsförpackning | HiP247™ | |
Inkapsling/låda | ||
Basproduktens nummer |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 | kr 267,81000 | kr 267,81 |
| 30 | kr 214,88033 | kr 6 446,41 |
| 120 | kr 212,62500 | kr 25 515,00 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 267,81000 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 334,76250 |

