N-kanal 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCT50N120

DigiKeys produktnummer
497-16598-5-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
SCT50N120
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCT50N120 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
65 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
69mOhm vid 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
318W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
HiP247™
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT50
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 230
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut. Visa Ersättningsartiklar.
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 253,09000kr 253,09
30kr 163,52233kr 4 905,67
120kr 155,70392kr 18 684,47
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 253,09000
Enhetspris inkl. moms:kr 316,36250