N-kanal 1200 V 56 A (Tc) 388W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCT025W120G3AG

DigiKeys produktnummer
497-SCT025W120G3AG-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
SCT025W120G3AG
Beskrivning
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tillverkarens standardleveranstid
21 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 56 A (Tc) 388W (Tc) Genomgående hål HiP247™
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
56 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
37mOhm vid 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,2V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
388W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
HiP247™
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 579
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 163,41000kr 163,41
30kr 101,59733kr 3 047,92
120kr 89,22408kr 10 706,89
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 163,41000
Enhetspris inkl. moms:kr 204,26250
Du är kanske också intresserad avVisa alla
2 Artiklar
NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

onsemi

kr 177,99000
PHPT61003NYX

PHPT61003NYX

TRANS NPN 100V 3A LFPAK56 PWRSO8

Nexperia USA Inc.

kr 7,38000