N-kanal 900 V 110 A (Tc) 625W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SCT012W90G3-4AG

DigiKeys produktnummer
497-SCT012W90G3-4AG-ND
Tillverkare
STMicroelectronics
Tillverkarens produktnummer
SCT012W90G3-4AG
Beskrivning
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 900 V 110 A (Tc) 625W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
EDA-/CAD-modeller
SCT012W90G3-4AG Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
STMicroelectronics
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
900 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
110 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
15,8mOhm vid 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,2V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3880 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-200°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 66
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 191,46000kr 191,46
30kr 120,68167kr 3 620,45
120kr 109,25800kr 13 110,96
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 191,46000
Enhetspris inkl. moms:kr 239,32500
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG

H2PAK-7

STMicroelectronics

kr 189,80000