Ny produkt
N-kanal 1200 V 57 A (Tc) 338W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

S4M0040120DA1

DigiKeys produktnummer
1655-S4M0040120DA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
S4M0040120DA1
Beskrivning
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tillverkarens standardleveranstid
20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 57 A (Tc) 338W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
52mOhm vid 28,6A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 10,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1337 pF @ 1200 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
338W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 21
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 65,69000kr 65,69
30kr 37,80600kr 1 134,18
120kr 31,67767kr 3 801,32
510kr 27,19418kr 13 869,03
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 65,69000
Enhetspris inkl. moms:kr 82,11250