Ny produkt
N-kanal 1200 V 30 A (Tc) 176W (Tc) Ytmontering TO-263-7
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 30 A (Tc) 176W (Tc) Ytmontering TO-263-7
TO-263-7

S2M0080120B

DigiKeys produktnummer
1655-S2M0080120B-ND
Tillverkare
SMC Diode Solutions
Tillverkarens produktnummer
S2M0080120B
Beskrivning
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Tillverkarens standardleveranstid
12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 30 A (Tc) 176W (Tc) Ytmontering TO-263-7
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
SMC Diode Solutions
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
30 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
100mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
176W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263-7
Inkapsling/låda
TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 400
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 64,59000kr 64,59
35kr 36,33029kr 1 271,56
105kr 31,55867kr 3 313,66
525kr 26,55659kr 13 942,21
1 015kr 26,51238kr 26 910,07
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 64,59000
Enhetspris inkl. moms:kr 80,73750