N-kanal 1200 V 55A (Tj) 348W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

S2M0040120D-1

DigiKeys produktnummer
1655-S2M0040120D-1-ND
Tillverkare
SMC Diode Solutions
Tillverkarens produktnummer
S2M0040120D-1
Beskrivning
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tillverkarens standardleveranstid
12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 55A (Tj) 348W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
SMC Diode Solutions
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
55A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
52mOhm vid 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
92.1 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1904 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
348W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 237
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 99,00000kr 99,00
10kr 68,39900kr 683,99
300kr 46,56233kr 13 968,70
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 99,00000
Enhetspris inkl. moms:kr 123,75000
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
NTHL040N120SC1

NTHL040N120SC1

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

onsemi

kr 202,16000