N-kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

S2M0016120D-1

DigiKeys produktnummer
1655-S2M0016120D-1-ND
Tillverkare
SMC Diode Solutions
Tillverkarens produktnummer
S2M0016120D-1
Beskrivning
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tillverkarens standardleveranstid
12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Genomgående hål TO-247AD
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
SMC Diode Solutions
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
140 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
23mOhm vid 75A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,6V vid 23mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
285 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4540 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
517W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 260
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 157,87000kr 157,87
10kr 112,04200kr 1 120,42
300kr 85,36050kr 25 608,15
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 157,87000
Enhetspris inkl. moms:kr 197,33750
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
IPW95R060PFD7XKSA1

IPW95R060PFD7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3

Infineon Technologies

kr 120,87000