N-kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GP2T080A120U

DigiKeys produktnummer
1560-GP2T080A120U-ND
Tillverkare
SemiQ
Tillverkarens produktnummer
GP2T080A120U
Beskrivning
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
SemiQ
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
100mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
188W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-3
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
GP2T080A
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 687
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 66,53000kr 66,53
30kr 38,30700kr 1 149,21
120kr 32,09883kr 3 851,86
510kr 27,56527kr 14 058,29
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 66,53000
Enhetspris inkl. moms:kr 83,16250