N-kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GP2T080A120H

DigiKeys produktnummer
1560-GP2T080A120H-ND
Tillverkare
SemiQ
Tillverkarens produktnummer
GP2T080A120H
Beskrivning
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
SemiQ
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
100mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
188W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Basproduktens nummer
GP2T080A
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 180
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 70,68000kr 70,68
30kr 40,89967kr 1 226,99
120kr 34,35175kr 4 122,21
510kr 29,87200kr 15 234,72
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 70,68000
Enhetspris inkl. moms:kr 88,35000