MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Chassimontering
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GCMX010A120B3H1P

DigiKeys produktnummer
1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Tillverkare
SemiQ
Tillverkarens produktnummer
GCMX010A120B3H1P
Beskrivning
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Chassimontering
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
SemiQ
Serie
QSiC™
Förpackning
Box
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-kanal (helbrygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
201A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
14mOhm vid 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 40mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
428nC vid 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10 900pF vid 800V
Effekt - max
600W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
-
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 16
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Box
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 1 326,32000kr 1 326,32
10kr 1 085,64900kr 10 856,49
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 1 326,32000
Enhetspris inkl. moms:kr 1 657,90000
Du är kanske också intresserad avVisa alla
4 Artiklar
NXH007F120M3F2PTHG

NXH007F120M3F2PTHG

MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM

onsemi

kr 1 551,57000
GCMX016B120B3H1P

GCMX016B120B3H1P

GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M

SemiQ

kr 501,59000
GCMX010A120B2B1P

GCMX010A120B2B1P

MOSFET 2N-CH 1200V 214A

SemiQ

kr 801,28000
GCMX005A120B3B1P

GCMX005A120B3B1P

MOSFET 4N-CH 1200V 383A

SemiQ

kr 1 211,73000