Nytt hos DigiKey
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Chassimontering
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GCMX008B120B3H1P

DigiKeys produktnummer
1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
GCMX008B120B3H1P
Beskrivning
GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
Tillverkarens standardleveranstid
6 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Chassimontering
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
SemiQ
Serie
Förpackning
Box
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-kanal (helbrygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
120 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
12mOhm vid 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 120mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
493nC vid 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF vid 800V
Effekt - max
500W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
-
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 10
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Box
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 817,98000kr 817,98
10kr 637,32200kr 6 373,22
100kr 609,99330kr 60 999,33
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 817,98000
Enhetspris inkl. moms:kr 1 022,47500