MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Chassimontering
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GCMX003A120S3B1-N

DigiKeys produktnummer
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
GCMX003A120S3B1-N
Beskrivning
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Chassimontering
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
SemiQ
Serie
Förpackning
Box
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
625A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
5,5mOhm vid 300A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 120mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
1408nC vid 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
41 400pF vid 800V
Effekt - max
2113W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
-
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 25
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Box
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 2 330,40000kr 2 330,40
15kr 2 097,85667kr 31 467,85
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 2 330,40000
Enhetspris inkl. moms:kr 2 913,00000