N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4062KEC11

DigiKeys produktnummer
846-SCT4062KEC11-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT4062KEC11
Beskrivning
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 6,45mA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 18 V
Förpackning
Rör
Vgs (Max)
+21V, -4V
Artikelstatus
Aktiv
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1498 pF @ 800 V
FET-typ
Effektförlust (max)
115W
Teknologi
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Monteringstyp
Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Inkapsling/låda
Rds On (max) @ Id, Vgs
81mOhm vid 12A, 18V
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 4 636
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 132,38000kr 132,38
30kr 80,37767kr 2 411,33
120kr 68,98808kr 8 278,57
510kr 62,47033kr 31 859,87
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 132,38000
Enhetspris inkl. moms:kr 165,47500