N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4062KEC11

DigiKeys produktnummer
846-SCT4062KEC11-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
SCT4062KEC11
Beskrivning
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
81mOhm vid 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 6,45mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1498 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
115W
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT4062
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 4 636
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 71,69000kr 71,69
30kr 70,69300kr 2 120,79
120kr 67,39100kr 8 086,92
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 71,69000
Enhetspris inkl. moms:kr 89,61250