N-kanal 750 V 34 A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 750 V 34 A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4045DEC11

DigiKeys produktnummer
846-SCT4045DEC11-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
SCT4045DEC11
Beskrivning
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 750 V 34 A (Tc) 115W Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
750 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
34 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
59mOhm vid 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 8,89mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14600 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
115W
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT4045
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 4 090
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 110,51000kr 110,51
10kr 68,79700kr 687,97
450kr 66,31633kr 29 842,35
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 110,51000
Enhetspris inkl. moms:kr 138,13750