N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W Genomgående hål TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
AECQ SIC FET’s | Datasheet Preview

SCT3120ALHRC11

DigiKeys produktnummer
SCT3120ALHRC11-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
SCT3120ALHRC11
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 103W Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
21 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
156mOhm vid 6,7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 3,33mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
103W
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT3120
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 442
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 100,85000kr 100,85
30kr 60,13800kr 1 804,14
120kr 51,20008kr 6 144,01
510kr 47,72624kr 24 340,38
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 100,85000
Enhetspris inkl. moms:kr 126,06250