SCT2H12NYTB har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
I lager: 625
Enhetspris : kr 51,49000
Datablad
N-kanal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Ytmontering TO-268
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Ytmontering TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

DigiKeys produktnummer
SCT2H12NYTBTR-ND - Remsa och spole (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Remsbit (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT2H12NYTB
Beskrivning
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Ytmontering TO-268
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCT2H12NYTB Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1700 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,5Ohm vid 1,1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 410µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
184 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
44W (Tc)
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-268
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.