N-kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Genomgående hål TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2450KEGC11

DigiKeys produktnummer
846-SCT2450KEGC11-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
SCT2450KEGC11
Beskrivning
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Tillverkarens standardleveranstid
23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
10 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
585mOhm vid 3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 900µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
463 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
85W (Tc)
Arbetstemperatur
175°C
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
SCT2450
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Kontrollera leveranstid
Begär lagermeddelande
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 119,86000kr 119,86
10kr 83,39300kr 833,93
450kr 54,72700kr 24 627,15
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 119,86000
Enhetspris inkl. moms:kr 149,82500