N-kanal 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Ytmontering 8-HSOP
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RS1E350GNTB

DigiKeys produktnummer
RS1E350GNTBTR-ND - Remsa och spole (TR)
RS1E350GNTBCT-ND - Remsbit (CT)
RS1E350GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
RS1E350GNTB
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Tillverkarens standardleveranstid
16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Ytmontering 8-HSOP
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,7mOhm vid 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4060 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta)
Arbetstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
8-HSOP
Inkapsling/låda
8-PowerTDFN
Basproduktens nummer
RS1E
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 2 500
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
När det tillgängliga lagret av denna produkt har tagit slut, gäller tillverkarens standardiserade förpackning och ledtid.
Antal
Alla priser är i SEK
Remsa och spole (TR)
Antal Enhetspris Totalpris
2 500kr 9,97657kr 24 941,43
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 9,97657
Enhetspris inkl. moms:kr 12,47071