Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 14.65 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RS1E200GNTB
DigiKeys produktnummer	RS1E200GNTBTR-ND - Remsa och spole (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Remsbit (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	RS1E200GNTB
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Tillverkarens standardleveranstid	21 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Ytmontering 8-HSOP
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RS1E200GNTB Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	20A (Ta), 57A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,6mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1080 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 25W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-HSOP
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	RS1E