Name: RQ3E100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100GNTBTR-ND
Price: 8.55 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RQ3E100GNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3E100GNTBTR-ND - Remsa och spole (TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Remsbit (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	RQ3E100GNTB
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Ytmontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3E100GNTB Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 1mA
Tillv. Rohm Semiconductor	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 15 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 2W (Ta), 15W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur 150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 10 A (Ta)	Leverantörens enhetsförpackning 8-HSMT (3,2x3)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Rds On (max) @ Id, Vgs 11,7mOhm vid 10A, 10V	Basproduktens nummer RQ3E100

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 1 613

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)

Tillverkarens standardförpackning

Enhetspris exkl. moms:	kr 6,84000
Enhetspris inkl. moms:	kr 8,55000

RQ3E100GNTB