Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 7.5625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RQ3E080BNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3E080BNTBTR-ND - Remsa och spole (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Remsbit (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	RQ3E080BNTB
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Tillverkarens standardleveranstid	21 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta) Ytmontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3E080BNTB Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	15,2mOhm vid 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2W (Ta)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-HSMT (3,2x3)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	RQ3E080

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 25 428

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)