R6076MNZ1C9 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 484
Enhetspris : kr 102,33000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 1 044
Enhetspris : kr 5,72000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 5 072
Enhetspris : kr 119,30000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 188
Enhetspris : kr 187,21000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 61
Enhetspris : kr 96,42000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 82,58000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 509
Enhetspris : kr 97,62000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 797
Enhetspris : kr 222,18000
Datablad
N-kanal 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

R6076MNZ1C9

DigiKeys produktnummer
R6076MNZ1C9-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
R6076MNZ1C9
Beskrivning
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
R6076MNZ1C9 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
55mOhm vid 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
740W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.