N-kanal 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Genomgående hål TO-220FM
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Genomgående hål TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6009ENX

DigiKeys produktnummer
R6009ENX-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
R6009ENX
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Genomgående hål TO-220FM
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
R6009ENX Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
535mOhm vid 2,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Arbetstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220FM
Inkapsling/låda
TO-220-3 fullpack
Basproduktens nummer
R6009
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 183
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
När det tillgängliga lagret av denna produkt har tagit slut, gäller tillverkarens standardiserade förpackning och ledtid. Visa Ersättningsartiklar.
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma. Visa Ersättningsartiklar.
Antal
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 41,71000kr 41,71
10kr 27,52400kr 275,24
100kr 19,49180kr 1 949,18
Enhetspris exkl. moms:kr 41,71000
Enhetspris inkl. moms:kr 52,13750