SIC Power Module
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKeys produktnummer
BSM180D12P3C007-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSM180D12P3C007
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 180 A (Tc) 880W Ytmontering Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM180D12P3C007 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (dubbel)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
180 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 50mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900pF vid 10V
Effekt - max
880W
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Ytmontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 13
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 5 322,81000kr 5 322,81
Enhetspris exkl. moms:kr 5 322,81000
Enhetspris inkl. moms:kr 6 653,51250