MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassimontering Modul
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassimontering Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKeys produktnummer
846-BSM180D12P2E002-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
BSM180D12P2E002
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassimontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
204 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 35,2mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18000pF vid 10V
Effekt - max
1360W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Basproduktens nummer
BSM180
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 4
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 6 242,00000kr 6 242,00
Enhetspris exkl. moms:kr 6 242,00000
Enhetspris inkl. moms:kr 7 802,50000