MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassimontering Modul
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassimontering Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKeys produktnummer
846-BSM180D12P2E002-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSM180D12P2E002
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassimontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 35,2mA
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18000pF vid 10V
Förpackning
Bulk
Effekt - max
1360W (Tc)
Artikelstatus
Aktiv
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Monteringstyp
Chassimontering
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
Inkapsling/låda
Modul
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
204 A (Tc)
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 4
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 6 171,78000kr 6 171,78
Enhetspris exkl. moms:kr 6 171,78000
Enhetspris inkl. moms:kr 7 714,72500