BSM120D12P2C005
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

DigiKeys produktnummer
BSM120D12P2C005-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSM120D12P2C005
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM120D12P2C005 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
120 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2,7V vid 22mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF vid 10V
Effekt - max
780W
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Basproduktens nummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

I lager: 2
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 3 475,43000kr 3 475,43
Enhetspris exkl. moms:kr 3 475,43000
Enhetspris inkl. moms:kr 4 344,28750