TPH3206LD Renesas Electronics Corporation | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPH3206LD
DigiKeys produktnummer	TPH3206LD-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TPH3206LD
Beskrivning	GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 17 A (Tc) 96W (Tc) Ytmontering 4-PQFN (8x8)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	17 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	180mOhm vid 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,6V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 480 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	96W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	4-PQFN (8x8)
Inkapsling/låda	4-PowerDFN